Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (12)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Ivashchenko M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 11 Представлено документи з 1 до 11
1.	Cheong H. Raman Investigation on ZnS, Znse, ZnTe Thin Films Obtained by CSVS Technique [Електронний ресурс] / H. Cheong, D. Nam, A. S. Opanasyuk, M. M. Ivashchenko, D. I. Kurbatov, M. M. Kolesnyk, O. V. Klymov // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03TF21-03TF21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_22 Попередній перегляд: Завантажити - 487.977 Kb Зміст випуску Цитування
2.	Jamil N. Yo. Design and Fabrication Heterojunction Solarcell of Si-CdS-ZnO Thin Film [Електронний ресурс] / N. Yo. Jamil, M. M. Ivashchenko, S. N. Abdulla, A. A.K. Muhammed, A. D. Pogrebnjak // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 4. - С. 04NMEEE09-04NMEEE09. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_4_74 Попередній перегляд: Завантажити - 266.624 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Buryk I. P. Structural and Electro-physical Properties of Heterogenous Film Materials Based on Refractory Metals [Електронний ресурс] / I. P. Buryk, M. M. Ivashchenko, L. A. Sheshenia // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2014. - Vol. 3, no. 1. - С. 01NTF02-01NTF02. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2014_3_1_20 Попередній перегляд: Завантажити - 531.54 Kb Зміст випуску Цитування
4.	Ivashchenko M. M. Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates [Електронний ресурс] / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, N. M. Opanasyuk, S. M. Danilchenko, V. V. Starikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 157-163. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_6 In this work, the complex investigation of structural and optical properties of zinc and cadmium selenide semiconductor films deposited by close-spaced vacuum sublimation method using thermal evaporation on non-oriented substrates was carried out. The structural and phase analyses of the layers condensed at different substrate temperatures were performed. The transmission and reflection spectra of the investigated films have been measured and their main optical characteristics have been calculated. Попередній перегляд: Завантажити - 357.249 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Pancheva H. Chemical deposition of CdS films from ammoniac-thiourea solutions [Електронний ресурс] / H. Pancheva, О. Khrystych, E. Mykhailova, M. Ivashchenko, A. Pilipenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 2(6). - С. 48-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_2(6)__9 Досліджено вплив концентрації реагентів на зміну мутності в процесі хімічного осадження плівок сульфіду кадмію з аміачно-тіокарбамідних розчинів. За результатами досліджень зміни мутності розчинів у процесі осадження та морфології одержаного осаду визначено концентрації CdCl2, NH4OH і CS(NH2)2, за яких утворюється суцільна плівка CdS. Проведена робота надала можливість встановити умови формування суцільних плівок CdS, що є передумовою для розробки контрольованого процесу виготовлення фотоелектричних перетворювачів. Попередній перегляд: Завантажити - 275.264 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
6.	Ivashchenko M. Establishing the patterns in the formation of oxide films on the alloy Ti6Al4V in carbonic acid solutions [Електронний ресурс] / M. Ivashchenko, O. Smirnova, S. Kyselova, S. Avina, A. Sincheskul, A. Pilipenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 5(6). - С. 21-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_5(6)__4 Наведено результати дослідження особливостей утворення тонких інтерференційно-забарвлених оксидних плівок на сплаві Ti6Al4V у розчинах карбонових кислот. Встановлено, що зміна напруги на комірці, яка відповідає формувальній залежності сплаву, залежить від анодної густини струму. За густин струму << 0,5 А-дм<^>-2 суцільна оксидна плівка на поверхні сплаву не утворюється і задане значення напруги не досягається. Підвищення густини струму до значень більших за 0,5 А-дм<^>-2, обумовлює лінійну зміну напруги у часі з кінцевим виходом на задану величину U. Максимальна для даних умов товщина плівки визначається встановленою величиною напруги і не залежить від режиму електролізу. Колір оксидної плівки визначається заданим значенням напруги формування і не залежить від густини струму, природи і концентрації карбонової кислоти. Збіг формувальних залежностей оксидування, одержаних у різних електролітах, надає можливість припустити, що утворення оксиду проходить за однаковим механізмом. Одержані дані пояснюються тим, що формування оксиду у гальваностатичному режимі проходить за умов наявності постійного градієнта потенціалу у оксидній плівці. Збільшення величини прикладеної до комірки напруги обумовлює пропорційний ріст максимальної товщини оксиду, оскільки призводить до зростання пропущеної через комірку кількості електрики і відповідного зростання маси окисленого металу. Результати дослідження з визначення впливу природи карбонової кислоти на процес формування оксидної плівки на сплаві Ti6Al4V методом електрохімічного окиснення показали, що природа електроліту не вливає на особливості її утворення. Одержані дані надають можливість стверджувати, що вибір електроліту для розробки технології електрохімічного оксидування титанових імплантатів повинен базуватися на результатах дослідження функціональних властивостей одержаних покриттів. Попередній перегляд: Завантажити - 404.601 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
7.	Sulaiman A. A. Optical and Electrical Properties of n-type Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching and Study of the Influence of γ-irradiation [Електронний ресурс] / A. A. Sulaiman, A. A. K. Muhammed, M. M. Ivashchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05025-1-05025-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_27 Шари пористого кремнію було одержано за допомогою методу електрохімічного травлення. Проведено дослідження фізичних та структурних властивостей шарів. Растрову електронну мікроскопію (РЕМ) та фрактографію було використано для дослідження впливу гамма-випромінювання на поруватість зразків залежно від ступеня опромінення. Ріст поруватості у проекції ширини може бути пояснений збільшенням кількості дірок на поверхні шару кремнію у разі збільшення дози опромінення. Фрактограми шарів вказують на ріст кристалітів перпендикулярно підкладці з орієнтацією росту <<111>>. Дослідження спектрів пропускання та відбивання показало, що у разі збільшення дози опромінення від 0 до 100 Гр значення пропускання зразка зменшувалося, а відбивання, відповідно, збільшувало своє значення. Дослідження спектрів фотолюмінесценції шарів вказало на те, що утворення суцільних шарів кремнію призводить до зменшення інтенсивності піків фотолюмінесценції у разі збільшення інтенсивності гама-випромінювання, що пов'язане зі збільшенням площі поверхні зразка та більшим значенням забороненої зони у порівнянні з масивним зразком. Проведено розрахунок таких електрофізичних параметрів, як питомі опори та провідності, висота потенційного бар'єру та фактор ідеальності. Висота потенційного бар'єру у всіх випадках мала невелике значення, що пов'язано з наявністю інтерфейсу між шаром пористого кремнію та кремнієвою підкладкою, що призводить до виникнення дефектної підструктури. У разі збільшення дози опромінення з 0 до 100 Гр фактор ідеальності збільшував своє значення з 1,544 до 17,563, відповідно. Спостерігалося зменшення значення питомого опору у разі збільшення значення гамма-опромінення. Попередній перегляд: Завантажити - 755.539 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Ivashchenko M. V. Integer Norm for Difference Assessment of the Frame Elements Considering the White Balance [Електронний ресурс] / M. V. Ivashchenko, D. D. Okhrymchuk, L. A. Lyushenko // Control systems & computers. - 2019. - № 4. - С. 27-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/USM_2019_4_5 Оцінка різниці між двома елементами зображення є важливим блоком усіх алгоритмів графічної обробки. Проте на сьогоднішній день більшість норм, які визначаються за колірними просторами, виконують операції з плаваючою точкою та без урахування внутрішньої структури колірної моделі камери. Мета роботи - дослідження запропонованого підходу, на основі якого можливо виконати синтез цілочислової норми, що враховує баланс білого камери при розрахуванні оцінки різниці між елементами зображення. Камера автоматично налаштовує баланс білого відповідно до одного з режимів, встановлених за замовчуванням. Оцінка різниці між двома точками зображення здійснюється за рахунок виконання нормалізації. Як метод розрахунку використано евклідову норму. Запропоновано підхід до нормалізації, що враховує коефіцієнти корекції балансу білого. Розрахунки виконано з точки зору здійснення операцій із цілими значеннями, що надає можливість їх використання для безпосереднього розгортання всередині апаратної логіки пристроїв. Цей факт надає можливість знизити як загальну вартість ресурсів для виконуваних операцій, по відношенню до існуючої арифметики з плаваючою крапкою, так і зниження вимог до конфігурації датчиків. Запропонований підхід надає можливість підвищити ефективність вимірювань при вирішенні задач комп'ютерного зору, спрямованих на порівняння точок одного зображення або при повному порівнянні відповідних елементів двох або серії зображень. Запропонований підхід спрямований на усунення недоліків сучасних систем, що використовують оцінку кольорів. Алгоритм може використовуватися як в пристроях, які здійснюють відеозйомку, так і в комп'ютерах, які використовуються для виконання операцій обробки зображень у системах комп'ютерного зору. Попередній перегляд: Завантажити - 409.734 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Buryk І. P. Numerical Simulation of FinFET Transistors Parameters [Електронний ресурс] / І. P. Buryk, A. O. Golovnia, M. M. Ivashchenko, L. V. Odnodvorets // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 3. - С. 03005-1-03005-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_3_7 Комплементарні польові метал-окисел-напівпровідник (МОН) транзистори з високою стабільністю параметрів та низьким енергоспоживанням використовуються як джерела живлення, підсилювачі, перетворювачі частоти в сенсорах та електронному обладнанні, а також як високочастотні комутаційні генератори та модулятори в медичних приладах для високочастотного і ультразвукового зварювання біологічних тканин. Наведено результати 3D-числового моделювання p- та n-типів транзисторів SOI TG FinFET. Побудовано вольтамперні характеристики, розраховано допустимі величини сили струму витоку та порогової напруги n- та p-транзисторів з електродами затвору на основі плівкових систем з ефективними роботами виходу 4,40 еВ і 4,85 еВ. Реалізація мультизатворних плівкових електродів на основі Ni і Ta має важливе значення для цифрового проектування надвеликих інтегральних схем. Результати моделювання надали змогу визначити допустимі значення допорогового розкиду, зниження бар'єру, спричинене стоком, силу струму витоку та коефіцієнт Ion/Ioff. Основою проектування транзисторних структур є вивчення робочих параметрів транзистора у відкритому стані та геометричних розмірів окремих структурних елементів. Результати моделювання можуть бути використані для проектування 3D-транзисторів CMOS. Попередній перегляд: Завантажити - 324.863 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
10.	Buryk І. P. Numerical Simulation of Field-effect Transistor GAA SiNWFET Parameters Based on Nanowires [Електронний ресурс] / І. P. Buryk, M. M. Ivashchenko, A. O. Holovnia, L. V. Odnodvorets // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 6. - С. 06012-1-06012-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_6_14 Перспективним напрямом подальшого зростання рівня масштабування MOSFET транзисторів вважається застосування нанодротів Si, GaAs і ZnO та вуглецевих нанотрубок як каналів між витоком та стоком. У даній роботі представлено результати числового проектування 3D-транзисторів з п'ятьма n-каналами Sі (SiNWFET), виготовленими за технологією SOI (Silicon-on-Insulator) із затвором Gateall-around (GAA). Структури 5-канальних GAA SiNWFET транзисторів моделюються за допомогою інструментів Silvaco TCAD. Проведено моделювання електричних характеристик, одержано допустимі значення порогової напруги, допорогового розкиду, зниження бар'єру, спричинене стоком, DIBL, сили струму витоку Ioff та коефіцієнта Ion/Ioff. Досліджено вплив температури на статичні передавальні характеристики польового транзистора, одержано типовий для MOSFET транзисторів характер залежностей: перетинання робочих характеристик для різних температур за постійної стокової напруги, що зумовлено зменшенням величини сили струму "switch-on" та порогової напруги внаслідок відповідного зменшення рухливості носіїв заряду та перерозподілу носіїв по енергіям, зміщенням енергії Фермі до середини забороненої зони та утворенням області збіднення біля поверхні напівпровідника за менших напруженостей електричного поля. У разі фіксованої напруги на стоці 1,2 В зростання температури в інтервалі від 280 до 400 К призводить до зменшення порогової напруги Vt на 22,5 %, збільшення допорогового розкиду на 43,1 %, спадання сили струму "switch-on" на 10,7 % та зниження бар'єру, спричинене стоком, DIBL на 12,6 %.Робота базового функціонального елемента інтегральної схеми - польового транзистора заснована на дрейфі електронів та дірок у каналі. Із застосуванням розтягування-здавлювання кристалічної решітки кремнію Si, шляхом впровадження домішкових атомів, дещо зростає рухливість носіїв. Разом з цим значний інтерес до нанодротів на основі твердого розчину Si(Ge) як елементів для формування високоефективних каналів польових транзисторів зумовлює необхідність досліджень їх структурних, електричних і температурних характеристик. У роботі наведено результати числового моделювання коаксіальних Si-канальних транзисторних FET's структур із затвором Gate-all-around (GAA). Структуру транзистора n-типу GAA NW FET та його вольтамперні характеристики було побудовано з використанням інструментів Silvaco TCAD. У межах дифузійно-дрейфової моделі транспорту носіїв із врахуванням квантового потенціалу Бома одержано ефективні робочі параметри: допустимі значення порогової напруги, сили струму витоку та коефіцієнта Ion/Ioff та їх залежності від температури. Встановлено, що величини порогової напруги Vt та допорогового розкиду SS залишаються майже без змін зі зростанням температури в інтервалі від 280 до 400 К, що насамперед пов'язано з додатковим впливом квантових ефектів для заданих товщини каналу та концентрацій домішок. Поряд з цим фіксується типове спадання сили струму ввімкнення на 45,5 % та струму витоку на 46,4 % в заданому інтервалі температур. Для оцінки термічної стабільності досліджуваних транзисторних систем розраховано температурні коефіцієнти <$Ebeta sub Vt ,~beta sub SS ,~beta sub Ion> та <$Ebeta sub Ioff>. Їх величини становили відповідно <$E8,63~cdot~10 sup -5>, -<$E0,53~cdot~10 sup -5>, -<$E3,87~cdot~10 sup -3> та -<$E3,80~cdot~10 sup -3> К<^>-1. Результати числового моделювання показали добре узгодження з експериментальними даними. Попередній перегляд: Завантажити - 286.007 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
11.	Bykova T. B. Blended learning in the context of digitalization informatization [Електронний ресурс] / T. B. Bykova, M. V. Ivashchenko, D. A. Kassim, V. I. Kovalchuk // CTE Workshop Proceedings. - 2021. - Vol. 8. - С. 247-260. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CTEwp_2021_8_15 Попередній перегляд: Завантажити - 864.982 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського